一、性能特点
高硬度与耐磨性陶瓷涂层材料如氧化铝（Al₂O₃）、碳化硅（SiC）、氮化硅（Si₃N₄）等，具有极高的硬度（HV 1300-2000），可有效抵抗半导体浆料中硬质颗粒（如硅粉、金属氧化物）的磨损，延长设备使用寿命。
陶瓷涂层的耐磨性是传统金属涂层的5-10倍，显著降低设备维护频率。
耐腐蚀性半导体浆料通常含有酸性或碱性介质（如盐酸、氢氧化钾），陶瓷涂层具有优异的化学稳定性，可抵抗pH 2-12范围内的腐蚀，避免设备基材（如不锈钢、钛合金）的腐蚀损伤。
氧化钇（Y₂O₃）涂层在氟基等离子体环境中的耐蚀性超过1年，适用于高腐蚀性浆料工况。
耐高温与热稳定性陶瓷涂层可承受300-1200℃的高温环境，适用于半导体工艺中的高温退火、化学气相沉积（CVD）等环节。
氮化铝（AlN）导热率高达180 W/m·K，适用于需要快速热传导的场景（如晶圆高温退火）。
低摩擦系数与防粘性陶瓷涂层表面光滑，摩擦系数低（μ=0.1-0.3），可减少浆料在设备内部的粘附和残留，降低清洗难度。
防粘性特性尤其适用于高粘度浆料（如光刻胶、导电浆料）的输送和混合。
高纯度与低金属污染陶瓷涂层纯度>99.95%，可避免金属离子（如Fe、Cr、Ni）混入浆料，确保半导体器件的电学性能和可靠性。
适用于对金属污染敏感的工艺（如高精度光刻、薄膜沉积）。
二、场景应用
化学机械抛光（CMP）设备应用部件：CMP垫板、抛光头。
功能：氧化锆（ZrO₂）增韧陶瓷涂层可提供均匀压力分布，抵抗抛光液（pH 2-12）的腐蚀，表面平整度<0.5 μm/200mm，硬度HV 1300-1500，满足硅晶圆抛光需求。
效果：延长垫板寿命2-3倍，减少晶圆表面划痕和金属污染。
光刻机精密结构件应用部件：透镜支架、晶圆台运动导轨。
功能：碳化硅（SiC）涂层具有低热膨胀系数（<0.05×10⁻⁶/°C）和高硬度（HV>2000），可确保光刻对准精度（热变形<1 nm），耐磨寿命>10亿次循环。
效果：提升光刻分辨率，降低设备故障率。
蚀刻与沉积设备应用部件：反应腔室内衬、气体喷嘴、射频窗口。
功能：氮化硅（Si₃N₄）涂层可抵抗Cl₂、CF₄等腐蚀性气体，延长腔体寿命3倍以上。
氧化铝（Al₂O₃）涂层作为射频窗口，具有低介电损耗（损耗角<0.0002）和高击穿电压（>15 kV/mm），确保微波/射频信号传输效率。
效果：减少设备停机时间，提高工艺稳定性。
真空腔体与气体输送系统应用部件：真空腔体内壁、气体管道、阀门。
功能：氧化钇（Y₂O₃）涂层可抵抗氟基等离子体腐蚀，延长阀门寿命>1年。
氮化硅（Si₃N₄）涂层用于气体喷嘴，防止颗粒脱落，确保高纯度气体输送。
效果：降低工艺污染风险，提高产品良率。
晶圆加热与温控部件应用部件：加热器、热电偶保护套。
功能：碳化硅（SiC）加热器可在1200℃下稳定工作，寿命>5000小时（氧化铝加热器仅~1000小时）。
氮化铝（AlN）涂层提供均匀热传导，避免晶圆局部过热。
效果：提升热处理效率，降低能耗。
三、技术优势总结
提升设备可靠性：陶瓷涂层的高硬度、耐腐蚀性和耐高温性，显著延长设备使用寿命，减少维护成本。
保障工艺精度：低热膨胀系数和高纯度特性，确保半导体器件的尺寸精度和电学性能。
降低生产成本：减少设备停机时间和金属污染风险，提高生产效率和产品良率。
适应复杂工况：可定制化设计涂层材料和厚度，满足不同浆料和工艺的需求。